四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源,用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳也一样,比如我们公司生产的钢瓶装四氟化碳在14MPA的气压下也是液态的,在正常大气压下就是气态的,四氟化碳是有一定毒性的应该不能用作呼吸。产品经除尘,碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏,通过控制精馏温度,除去O2、N2、H2,得到高纯CF4。
由碳与氟反应,或一氧1化碳与氟反应,或碳化硅与氟反应,或氟石与石油焦在电炉里反应,或二氟二氯甲1烷与氟化1氢反应,或四氯化1碳与氟化银反应,或四氯1化碳与氟化1氢反应,都能生成四氟化1碳。吸入四氟1化碳的后果与浓度有关,包括头1痛、恶心、头昏眼花及心1血管系统的破坏(主要是心脏)。长时间接触会导致严重的心脏破坏。对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-O2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
电子四氟化碳是目前半导体行业主要的等离子体蚀刻气体之一,在硅、二氧化硅、金属硅化物以及某些金属的蚀刻,以及低温制冷、电子器件表面清洗等方面被广泛应用。而电子特气系统为它保驾护航,保证四氟化碳(CF4)的纯度和安全稳定使用。在填有氢氧化铬的高温镍管中进行,反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体,再通过冷冻,用硅胶除去气体中的水分,经精馏而得成品。由碳与氟反应,或与氟反应,或碳化硅与氟反应,或氟石与石油焦在电炉里反应,都能生成四氟化碳。
以上信息由专业从事四氟化碳的安徽谱纯于2023/3/22 22:24:08发布
转载请注明来源:http://dalian.mf1288.com/ahpuchun-2473174044.html